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    產(chǎn)品中心/ PRODUCTS

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    Gamma-X(GMX)N型高純鍺(HPGe)同軸輻射探測器

    • 產(chǎn)品型號:
    • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
    • 更新時間:2025-07-25
    • 訪  問  量:21

    簡要描述:GAMMA-XN型同軸HPGe探測器適用于能量范圍為~3keV及以上的高性能伽馬能譜測量

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    聯(lián)系電話:021-54339375

    產(chǎn)品詳情
    HPGe Radiation Detector Energy Range - GMX Radiation Detector
    GAMMA-X N型同軸HPGe探測器適用于能量范圍為~3 keV及以上的高性能伽馬能譜測量。

    GAMMA-X(GMX)探測器是一款同軸鍺(Ge)探測器,具有超薄入射窗口。大多數(shù)同軸探測器具有500至1000微米厚的入射窗口,但該探測器的入射窗口是一個0.3微米厚的離子注入接觸面,將較低的有用能量范圍擴展至約3 keV。離子注入將產(chǎn)生穩(wěn)定的接觸面,其不會隨著重復回溫循環(huán)而惡化。此外,N型HPGe探測器已經(jīng)證明能夠抵抗快中子損傷。

    GAMMA-X系列特征:
    • GAMMA-X效率標準產(chǎn)品可達100%,還可應要求提高。
    • 譜測量從3 keV向上。
    • 超薄硼離子注入輻射窗口,是康普頓抑制系統(tǒng)的理想選擇。
    • 抗中子損傷;用戶自修復中子損傷選件。
    • 出色的能量分辨率和峰對稱性。
    • SMART偏壓選件。
    • 惡劣環(huán)境(-HE)選件。
    • 鈹窗口配有保護罩;鋁或碳纖維窗口選件可免費提供。
    • 低本底碳纖維端蓋選件。
    • 外加前置放大器選件適用于超高計數(shù)率應用。
    • 巨大的配置靈活性,PopTop、Streamline和機械冷卻選項。
    • 資料 +

      • Download link Gamma-X(GMX)配置指南
      • Download link Gamma-X(GMX)配置指南(A4)
      • Download link Gamma-X手冊
      • Download link 半導體探測器概述
      • Download link 半導體探測器的物理學綜述
    • 更多信息 +


      GAMMA-X系列探測器采用ORTEC生長的鍺晶體設計,該晶體經(jīng)我們位于田納西州橡樹嶺的制造工廠加工。探測器由N型鍺制成,具有擴散Li的內(nèi)部接觸面和離子注入硼的外部超薄接觸面。

      GAMMA-X探測器在高能量和低能量下異常地表現(xiàn)出的效率。ORTEC提供GMX系列HPGe探測器,相對效率從10%到100%甚至更高。

      ORTEC擁有一系列HPGe探測器。其中一些具有“超級規(guī)格”,即保證的能量分辨率優(yōu)于通常的保證規(guī)格。

      GAMMA-X探測器的高低能量性能
      GAMMA-X探測器的高能量性能由其相對效率、分辨率和其在60Co時的峰康比定義。

      該探測器的低能量性能由其在5.9keV的分辨率、其有效表面積和探測器窗口厚度定義。

      GAMMA-X探測器的入射接觸面厚度由現(xiàn)成源的兩個峰的面積比來描述。選擇的峰來自109Cd的88-keV伽馬射線和來自相同源的22.16-keV Ag K x射線。保證窗口衰減率為20。

      WE =

      22.16 keV時的峰面積

      88 keV時的峰面積

      22 keV峰值/88 keV峰面積
      該規(guī)格量化了GAMMA-X探測器中入射窗口的薄度。來自109Cd源22keV和88 keV譜線的γ射線的自然比率約為21:1。GAMMA-X探測器通常顯示>20:1的比率。

      鈹窗
      70毫米(2.75英寸)或76毫米(3英寸)直徑端蓋(10至~35%)的GMX探測器配有直徑為51毫米(2英寸)的Be窗口。83毫米(3.25英寸)直徑端蓋(約30至65%)的GMX探測器配有直徑為64毫米(2.5英寸)的Be窗口。這些窗口為0.020英寸厚并在5.9-keV時具有~95%的透射系數(shù)。95毫米(3.75英寸)直徑端蓋(約60至100%)的探測器配有直徑為84毫米(3.3英寸)的Be窗口,該窗口為0.030英寸厚。

      高壓禁止和高速率指示
      GAMMA-X探測器具有高壓禁止和高速率指示保護功能。如果LN2耗盡且探測器在施加高壓偏壓時開始回溫(使用659型偏壓電源時),則高壓會自動關閉,以保護FET免受損壞。這通過溫度傳感器(位于探測器后面的底座上)實現(xiàn),該溫度傳感器用于在分子篩脫氣并產(chǎn)生危險的高壓電弧之前關閉高壓。使用回溫探測器的高泄漏電流來關閉高壓可能導致FET和探測器損壞。

      抗中子損傷
      在GAMMA-X探測器中,收集電子是主要的過程??熘凶訉a(chǎn)生空穴俘獲中心;也就是說,帶負電的缺陷會捕獲空穴而不是電子。

      因此,與空穴俘獲為主要過程的同軸Ge設備相比,空穴俘獲為次要過程的GAMMA-X探測器對輻射損傷基本上不敏感。這些理論上的猜測已經(jīng)通過實驗得到證實。

      應該注意的是,一旦發(fā)生嚴重的輻射損傷,“最長里程”可以通過避免將探測器循環(huán)到室溫來獲得。對于p型或n型Ge探測器也是如此。然而,對于輕微損傷的GAMMA-X探測器(~0.1 keV衰減),回溫循環(huán)甚至長時間室溫保存都不會產(chǎn)生不利影響。

      GAMMA-X探測器應盡可能保持在接近77 K的溫度,以盡量減少輻射損傷的程度。因此,為了這個目的,Streamline低溫恒溫器少了一個熱連接,是比PopTop更好的選擇。

      客戶中子損傷可修復探測器
      修復中子損傷的GAMMA-X探測器可以在我們的任何維修機構(gòu)進行,也可以由您自己在實驗室進行。如需獲取更多有關我們客戶中子損傷可修復GAMMA-X探測器的信息,請聯(lián)系我們。

    • 可選附件 +


      集成低溫冷卻系統(tǒng)選件(-ICS-E)
      集成低溫冷卻系統(tǒng)(ICS)低溫恒溫器配備有低溫冷卻器,不受回溫循環(huán)的影響。與使用標準型低溫恒溫器探測器的典型三天損失不同,ICS可以立即重新冷卻,限度地減少因臨時回溫而損失的任何時間。

      SMART-1選件 (-SMN)
      SMART-1選件用于監(jiān)控和報告重要的系統(tǒng)功能,還可保存驗證碼并在稍后報告該驗證碼。它包括高壓,因此所有儀器都不需要外部高壓電源。SMART-1采用堅固的ABS模塑塑料外殼,并通過模塑密封電纜牢牢地固定在探測器端蓋上。這可避免探測器因水分泄漏到高壓連接器中而受到嚴重損壞。SMART-1可以放置在任何方便使用的位置,不會干擾屏蔽罩或其他安裝硬件。

      超高計數(shù)率前置放大器選件(-PL)
      超高計數(shù)率前置放大器(晶體管復位前置放大器)可在1 MeV下處理高達1,000,000個計數(shù)/秒的輸入計數(shù)率,并具有無反饋電阻的額外優(yōu)勢。

      惡劣環(huán)境選件(-HE)
      惡劣環(huán)境選件是一個堅固的碳纖維端蓋,配有密封的電子設備外殼,并帶有可更換的干燥劑包,用以確保電子設備保持100%干燥并指示何時需要更換干燥劑包。直徑為76 mm或更大PopTop封裝設計中的GMX系列探測器可配備此選件。

      遠程前置放大器選件(-HJ)
      此選件讓所有前置放大器和高壓接頭位于屏蔽之外,并將前置放大器和高壓濾波器從Ge晶體的“視線”移開。對于低本底應用,此選件消除了可能增加屏蔽罩內(nèi)部本底的任何可能性,來源于前置放大器或高壓濾波器組件。

      低本底碳纖維端蓋選件(-RB、-LB-C和-XLB-C)
      低本底碳纖維端蓋與Al、Mg和Cu一樣堅固,產(chǎn)生的本底少,不腐蝕,并且可以檢測低于10 keV的能量。這種較低的本底材料可在特定計數(shù)時間內(nèi)降低最小可探測活度(MDA),這為在低本底計數(shù)應用中增加樣品通量提供了另一種方法。碳纖維的低Z值可提供低能量窗口,而不會產(chǎn)生在大多數(shù)合金中發(fā)現(xiàn)的額外本底。

      鋁窗選件(-A)
      如果感興趣的能量超過20 keV,則可以選擇全鋁端蓋。

      碳纖維窗選件(-CW)
      碳纖維窗口可用于大于約8 keV的能量。雖然這個窗口不能通過所有較低的能量,但碳纖維的Z比Al低,并且不存在任何與Be相關的危險。

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      請參閱GMX N型HPGe同軸輻射探測器配置指南以配置探測器。
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