• “面向應(yīng)用的”P型HPGe探測(cè)器針對(duì)特定樣品類(lèi)型、伽馬能量范圍和測(cè)量幾何形狀進(jìn)行了優(yōu)化。
• 在購(gòu)買(mǎi)之前請(qǐng)先了解新HPGe探測(cè)器的性能！
• 計(jì)數(shù)幾何形狀可提供給定IEEE標(biāo)準(zhǔn)相對(duì)效率的效率。
• 穩(wěn)定的薄前接觸面，如果在室溫條件下存放，不會(huì)產(chǎn)生前死層增長(zhǎng)（PROFILE GEM S、SP和C系列）。
• 保證的晶體尺寸確保了測(cè)量性能。
• 可重現(xiàn)的尺寸意味著可重現(xiàn)的性能... 無(wú)一例外。
• 全系列PopTop低溫恒溫器和選件。

ORTEC PROFILE系列P型高純鍺（HPGe）探測(cè)器可提供特定的晶體尺寸，您可以從中選擇您應(yīng)用的解決方案。為了幫助您確定相對(duì)效率與晶體尺寸之間的關(guān)系，我們提供了標(biāo)稱(chēng)相對(duì)效率規(guī)格。分辨率根據(jù)IEEE標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量。如果ORTEC探測(cè)器庫(kù)存清單中有特定的PROFILE系列探測(cè)器，則可在購(gòu)買(mǎi)前檢查實(shí)際測(cè)量的規(guī)格。

F系列PROFILE GEM探測(cè)器
F系列PROFILE探測(cè)器采用“超方形”（直徑>長(zhǎng)度）同軸結(jié)構(gòu)。這種晶體幾何形狀通常被稱(chēng)為半平面結(jié)構(gòu)。對(duì)于給定的相對(duì)（IEEE）效率，F(xiàn)系列實(shí)現(xiàn)了對(duì)鍺材料的“利用”，它可為直接位于端蓋或“靠近幾何位置”的體源樣品提供計(jì)數(shù)效率，例如：

• 在端蓋頂端的點(diǎn)源
• 在端蓋頂端的濾紙樣品
• 在端蓋頂端的瓶子和罐子的樣品
• 保健無(wú)力分析應(yīng)用（例如，肺部監(jiān)測(cè)）
• 廢物桶監(jiān)測(cè)

此外，超方形幾何結(jié)構(gòu)有助于通過(guò)降低晶體電容來(lái)改善低能量分辨率問(wèn)題。

S系列PROFILE GEM探測(cè)器

• 具有超薄、穩(wěn)定入射窗口，同時(shí)具有F系列PROFILE探測(cè)器的所有優(yōu)點(diǎn)。
• 出色的性能保證。
• 低至3 keV能量下的出色靈敏度。
• 在室溫條件下長(zhǎng)期存放，不會(huì)降低探測(cè)器的性能。

S系列PROFILE GEM探測(cè)器采用平面晶體幾何結(jié)構(gòu)和專(zhuān)有的超薄穩(wěn)定入射窗口，可提高低能效率。S系列入射窗口將有用能量范圍擴(kuò)展至3 keV及以下，同時(shí)保持了PROFILE系列的出色峰形和分辨率特性。

SP系列PROFILE GEM探測(cè)器

• 具有專(zhuān)有低噪聲后接觸面，同時(shí)具有所有F系列和S系列PROFILE探測(cè)器的所有優(yōu)點(diǎn)。
• 出色的分辨率性能。

平面SP系列PROFILE GEM探測(cè)器除了采用S系列和C系列的專(zhuān)有超薄穩(wěn)定入射窗口外，還使用了低噪聲后接觸級(jí)。與S系列一樣，如果在室溫條件下存放，前接觸面依然可以在低能量下提供出色的透射率，并且不會(huì)因入射窗口損失效率。SP系列探測(cè)器的之處在于具有專(zhuān)門(mén)的后接觸面，可在低能量下顯著提高探測(cè)器分辨率。

選擇F系列、S系列或SP系列PROFILE GEM探測(cè)器的一般指南
對(duì)于直接放置在端蓋上的樣品，探測(cè)器直徑應(yīng)超過(guò)樣品直徑的20％或更多。如果超過(guò)30％，效率增加則不明顯。另外，如果探測(cè)器直徑超過(guò)樣品直徑20％或更多，則由樣品位置的不可再現(xiàn)性引起的誤差將會(huì)最小。

如果有預(yù)算限制，則首先選擇直徑的探測(cè)器。選擇更厚的探測(cè)器將進(jìn)一步提高效率，特別是在更高的能量下更是如此。對(duì)于以類(lèi)似于上述幾何形狀的樣品，選擇直徑比樣品大20％（或更多）的F系列PROFILE探測(cè)器，可確保給定相對(duì)（IEEE）效率的大化。選擇直徑比樣品大20％（或更多）的S系列PROFILE探測(cè)器，可確保在3至50 keV的較低能量下具有的效率。如果應(yīng)用或情況需要在室溫環(huán)境中長(zhǎng)時(shí)間存放探測(cè)器，則選擇S系列PROFILE探測(cè)器可保持優(yōu)異的性能，并且在低能量范圍內(nèi)性能不會(huì)得到降低。與具有相同相對(duì)效率的較長(zhǎng)、較小直徑的探測(cè)器相比，超方形探測(cè)器通?？梢詫?shí)現(xiàn)更好的低能量分辨率。

選擇SP系列PROFILE探測(cè)器，可在低能量和中能量下實(shí)現(xiàn)的分辨率性能。高分辨率優(yōu)勢(shì)對(duì)于多核素（多峰）識(shí)別的應(yīng)用至關(guān)重要。更好的分辨率可提高峰值定位算法的性能，從而減少誤報(bào)和雙峰。SP系列PROFILE探測(cè)器的提供更好分辨率性能意味著改善的信噪比，這同時(shí)也意味著更低的最小可探測(cè)活度（MDA）和更短的計(jì)數(shù)時(shí)間。

需要注意的是, 最小的S系列探測(cè)器(GEM-S5020 、 GEM-S5825) 和所有的 GEM-SP 探測(cè)器都是為了低計(jì)數(shù)率相關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)的。

M系列PROFILE GEM探測(cè)器
M系列探測(cè)器設(shè)計(jì)用于Marinelli杯，以提供解決方案和效率。M系列探測(cè)器可提供與GEM系列探測(cè)器相同的分辨率和更高的效率（低于50 keV），提供比GMX系列探測(cè)器更高的分辨率但效率略低（低于50 keV）。這些在端蓋直徑“填滿(mǎn)晶體”，并且長(zhǎng)度略大于直徑的情況下測(cè)得。Marinelli杯的總體效率被。這是見(jiàn)的樣品杯，其中井直徑等于其長(zhǎng)度。此外，對(duì)于給定的相對(duì)（IEEE）效率，M系列實(shí)現(xiàn)了對(duì)鍺材料的“利用”，具有比F、S或SP系列更高的能量范圍要求，可為直接放置在端蓋頂面的體源樣品提供計(jì)數(shù)效率，例如：

• 在端蓋頂端的點(diǎn)源
• 在端蓋頂端的濾紙樣品
• 在端蓋頂端的瓶子和罐子樣品
• 廢物桶監(jiān)測(cè)

C系列PROFILE GEM探測(cè)器
C系列探測(cè)器具有M系列探測(cè)器的所有優(yōu)點(diǎn)，并結(jié)合了超薄、穩(wěn)定的入射窗口。這將可用能量擴(kuò)展至3 keV，同時(shí)保持了較高能量下的效率。除了測(cè)量241Am和210Pb等核素外，還可為更高能量的發(fā)射體提供優(yōu)異的效率；所有這一切都可在一個(gè)探測(cè)器中完成。其中的探測(cè)器可提供單個(gè)探測(cè)器在能量大于3 MeV下所擁有的效率。

選擇M系列或C系列PROFILE GEM探測(cè)器的一般指南
選擇用于特定Marinelli杯的M系列或C系列探測(cè)器非常簡(jiǎn)單：只需選擇最貼合Marinelli杯井直徑的探測(cè)器即可！

F系列、S系列或SP系列探測(cè)器適合Marinelli的幾何結(jié)構(gòu)，它們具有更好的分辨率性能，但效率低于相同直徑的M系列或C系列探測(cè)器。相應(yīng)地，在端蓋頂端測(cè)量的幾何條件中，M或C系列探測(cè)器可以代替F、S或SP系列探測(cè)器。對(duì)于相同的直徑，M系列或C系列可提供稍高的效率（隨著能量的增加而增加）。

集成低溫冷卻系統(tǒng)選件（-ICS-E）
集成低溫冷卻系統(tǒng)（ICS）低溫恒溫器配備有低溫冷卻器，不受回溫循環(huán)的影響。與使用標(biāo)準(zhǔn)型低溫恒溫器探測(cè)器的三天典型損失不同，ICS可以立即重新冷卻，限度地減少因臨時(shí)預(yù)熱而損失的任何時(shí)間。用于PROFILE系列探測(cè)器的ICS包括一個(gè)外部前置放大器。

SMART-1選件 (-SMP)
SMART-1選件用于監(jiān)控和報(bào)告重要的系統(tǒng)功能，還可保存驗(yàn)證碼并在稍后報(bào)告該驗(yàn)證碼。它包括高壓，因此所有儀器都不需要外部高壓電源。SMART-1采用堅(jiān)固的ABS模塑塑料外殼，并通過(guò)模塑密封電纜牢牢地固定在探測(cè)器端蓋上。這可避免探測(cè)器因水泄漏到高壓連接器中而受到嚴(yán)重?fù)p壞。SMART-1可以放置在任何方便使用的位置，不會(huì)干擾屏蔽罩或其他硬件。

超高計(jì)數(shù)率前置放大器選件（-PL）
超高計(jì)數(shù)率前置放大器（晶體管復(fù)位前置放大器）可在1 MeV下處理高達(dá)1,000,000個(gè)計(jì)數(shù)/秒的輸入計(jì)數(shù)率，并具有無(wú)反饋電阻的額外優(yōu)勢(shì)。

惡劣環(huán)境選件（-HE）
惡劣環(huán)境選件是一個(gè)堅(jiān)固的碳纖維端蓋，配有密封的電子設(shè)備外殼，并帶有可更換的干燥劑，用以確保電子設(shè)備保持100％干燥，并帶有指示何時(shí)需要更換干燥劑包。直徑為76 mm或更大PopTop封裝設(shè)計(jì)中的PROFILE系列探測(cè)器可配備此選件。

遠(yuǎn)程前置放大器選件（-HJ）
此選件讓所有前置放大器和高壓接頭位于屏蔽之外，并將前置放大器和高壓濾波器從Ge晶體的“視線”移開(kāi)。對(duì)于低本底應(yīng)用，此選件消除了屏蔽罩內(nèi)部的任何可能增加本底的前置放大器或高壓濾波器組件。

鈹窗選件（-B）
提高了3至5 keV之間的性能。

低本底碳纖維端蓋選件（-RB、-LB-C和-XLB-C）
低背景碳纖維端蓋與Al、Mg和Cu一樣堅(jiān)固，產(chǎn)生的本底少，不腐蝕，并且可以檢測(cè)低于10 keV的能量。這種較低本底的材料可在特定計(jì)數(shù)時(shí)間內(nèi)降低最小可探測(cè)活度（MDA），這為在低本底計(jì)數(shù)應(yīng)用中增加樣品通量提供了另一種方法。碳纖維的較低Z值可提供低能量窗口，而不會(huì)產(chǎn)生在大多數(shù)合金中發(fā)現(xiàn)的額外本底。